日前，汽车芯片产业创新战略联盟组织召开了碳化硅芯片发展研讨会。会议开得很好，现将会议研讨的主要成果录出，供业界同仁参考。
一、当前是我国发展碳化硅芯片的战略机遇期。
碳化硅芯片是第三代宽禁带半导体代表性器件，是重要的新型功率半导体芯片。与传统的硅基功率半导体芯片相比，碳化硅芯片在器件效率、开关频率、工作温度等半导体器件关键性能方面明显优越，但技术仍有待完善，成本较高。
我国目前发展碳化硅芯片有两大优势：一是市场需求大。我国新能源汽车发展领先于世界，不但数量领先，而且对于快充、高电压平台等先进性能要求也比世界其他市场更迫切。二是产业端积极性高，企业投入的资金和人力都更多，无论是在碳化硅芯片的研发、制造企业，还是在新能源汽车整车应用领域，都是如此。
碳化硅产业发展的形势与十几年前的动力电池非常相似：虽然技术并不领先，企业也相对弱小，但是市场发展快，企业积极性高，投入的人力、物力、财力也领先于世界各国。完全有条件在市场拉动下，发挥我国的体制机制优势，快速发展，后来居上，形成我国的产业优势。
二、行业应该注重创新，避免内卷。
在碳化硅芯片行业已经出现一些不注重技术创新，过分依赖国外企业供应基础元器件，在制造领域拼成本拼价格的内卷现象。但是碳化硅芯片技术正在发展中，内卷效果有限，而且并不能解决企业的长期竞争力问题。我们应该做的是：
1、加强基础技术研究。其中最重要的一是长晶技术。与硅基半导体相比，碳化硅明显晶圆半径小，生长速度慢，是基础材料成本高的最主要原因。二是芯片设计、制造技术仍处于相对初级的阶段。硅基半导体制造技术已发展到第六至第七代，而碳化硅制造技术仍处于第二到第三代。
2、加强产业化应用技术研究。例如，碳化硅芯片的封装与测试，仍然主要沿用硅基半导体技术，显然不能满足碳化硅芯片发展需求，需要创新。相应的测试标准也有待完善，测试工况和条件也需要完善和加强。
3、需要产业链共同发展，互相促进。由于目前在世界范围内碳化硅技术正在发展中，并未形成完善的产业链。所以，在发展设计、制造技术的同时，需要同步发展制造和测试新装备。好在我国目前已具备相当的高端制造能力，发展高端新装备应该是水到渠成。这在动力电池产业已有成功的经验。
4、产业链上下游要加强协同合作。简单地呼吁碳化硅相关企业要加强创新，整车应用方要加强对国产芯片的包容，效果极其有限。真正有用的是加强合作，产业链上下游要向彼此多迈出一步，提前开展技术合作，软硬件也要加强合作，一定可以整体上加快产业技术进步的速度。这在产业技术并未发展完善，达到稳定的阶段，尤其重要。
三、政府和行业组织也要承担起自己的责任。
1、希望政府加强对碳化硅芯片相关技术创新和攻关的支持力度。对于国内企业创新发展的碳化硅芯片，在应用上，可以给予参照首台套的首批次支持政策。
2、对于单个企业难以完成的工作，行业组织要主动协调、组织。包括技术创新、测试方法和标准的制定、上下游企业的合作。以及产业与政府的对接。
3、共同加强知识产权建设。这对于技术发展创新较快的产业尤其重要。这项工作是一项系统工程，绝不是简单的申请专利和打官司。
4、从国际经验看，碳化硅芯片产业，适合以IDM模式发展。政府和行业组织都要给予扶助，促进其发展。
